Ang mga pangunahing pagkakaiba sa pagitan ng N-type at P-type na monocrystalline silicon wafers para sa solar photovoltaic
Ang mga pangunahing pagkakaiba sa pagitan ng N-type at P-type na monocrystalline silicon wafers para sa solar photovoltaics
Ang mga monocrystalline na silicon na wafer ay may mga pisikal na katangian ng quasi-metal, na may mahinang conductivity, at ang kanilang conductivity ay tumataas sa pagtaas ng temperatura. Mayroon din silang makabuluhang mga katangian ng semiconducting. Sa pamamagitan ng doping ultra-pure monocrystalline silicon wafers na may maliit na halaga ng boron, maaaring tumaas ang conductivity upang makabuo ng P-type na silicon semiconductor. Katulad nito, ang doping na may maliit na halaga ng phosphorus o arsenic ay maaari ding magpapataas ng conductivity, na bumubuo ng isang N-type na silicon semiconductor. Kaya, ano ang mga pagkakaiba sa pagitan ng P-type at N-type na mga wafer ng silikon?
Ang mga pangunahing pagkakaiba sa pagitan ng P-type at N-type na monocrystalline silicon wafer ay ang mga sumusunod:
Dopant: Sa monocrystalline silicon, ginagawa itong N-type ng doping na may phosphorus, at ginagawa itong P-type ng doping na may boron.
Conductivity: Ang N-type ay electron-conducting, at ang P-type ay hole-conducting.
Pagganap: Ang mas maraming phosphorus ay doped sa N-type, mas maraming mga libreng electron, mas malakas ang conductivity, at mas mababa ang resistivity. Ang mas maraming boron ay doped sa P-type, mas maraming mga butas ang nabuo sa pamamagitan ng pagpapalit ng silikon, mas malakas ang conductivity, at mas mababa ang resistivity.
Sa kasalukuyan, ang mga P-type na silicon na wafer ay ang pangunahing mga produkto sa industriya ng photovoltaic. Ang mga P-type na silicon na wafer ay simple sa paggawa at may mababang gastos. Ang mga N-type na silicon wafer ay karaniwang may mas mahabang buhay ng carrier ng minorya, at ang kahusayan ng mga solar cell ay maaaring gawing mas mataas, ngunit ang proseso ay mas kumplikado. Ang mga N-type na silicon na wafer ay doped ng phosphorus, na may mahinang solubility sa silicon. Sa panahon ng pagguhit ng baras, ang posporus ay hindi pantay na ipinamamahagi. Ang P-type na silicon wafers ay doped ng boron, na may katulad na segregation coefficient sa silicon, at ang pagkakapareho ng dispersion ay madaling kontrolin.