Mga Kaalaman

Pangkalahatang-ideya ng teknolohiya at mga pakinabang ng Topcon photovoltaic module

Kinakatawan ng TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) photovoltaic (PV) module technology ang pinakabagong mga pagsulong sa solar industry para sa pagpapabuti ng cell efficiency at pagbabawas ng mga gastos. Ang ubod ng teknolohiya ng TOPCon ay nakasalalay sa kakaibang istruktura ng contact ng passivation, na epektibong binabawasan ang recombination ng carrier sa ibabaw ng cell, at sa gayo'y pinapahusay ang kahusayan ng conversion ng cell.

Mga Teknikal na Highlight

1. Structure ng Pakikipag-ugnayan sa Passivation: Ang mga cell ng TOPCon ay naghahanda ng super-thin oxide silicon layer (1-2nm) sa likod ng silicon wafer, na sinusundan ng deposition ng doped polycrystalline silicon layer. Ang istrukturang ito ay hindi lamang nagbibigay ng mahusay na passivation ng interface ngunit bumubuo rin ng isang pumipili na channel ng transportasyon ng carrier, na nagpapahintulot sa karamihan ng mga carrier (mga electron) na dumaan habang pinipigilan ang mga minority carrier (mga butas) mula sa muling pagsasama, kaya makabuluhang tumataas ang open-circuit na boltahe (Voc) ng cell at punan. salik (FF).

2. Mataas na Conversion Efficiency: Ang teoretikal na maximum na kahusayan ng mga cell ng TOPCon ay kasing taas ng 28.7%, higit na mataas kaysa sa 24.5% ng mga tradisyonal na P-type na PERC na mga cell. Sa mga praktikal na aplikasyon, ang mass production na kahusayan ng mga cell ng TOPCon ay lumampas sa 25%, na may potensyal para sa karagdagang pagpapabuti.

3. Low Light-Induced Degradation (LID): Ang mga N-type na silicon wafer ay may mas mababang pagkasira na dulot ng liwanag, ibig sabihin, ang mga module ng TOPCon ay maaaring magpanatili ng mas mataas na paunang pagganap sa aktwal na paggamit, na binabawasan ang pagkawala ng pagganap sa mahabang panahon.

4. Na-optimize na Temperatura Coefficient: Ang koepisyent ng temperatura ng mga module ng TOPCon ay mas mahusay kaysa sa mga module ng PERC, na nangangahulugan na sa mga kapaligirang may mataas na temperatura, ang pagkawala ng power generation ng mga module ng TOPCon ay mas maliit, lalo na sa mga tropikal at disyerto na rehiyon kung saan partikular na nakikita ang kalamangan na ito.

5. Pagkakatugma: Ang teknolohiya ng TOPCon ay maaaring maging tugma sa mga kasalukuyang linya ng produksyon ng PERC, na nangangailangan lamang ng ilang karagdagang mga aparato, tulad ng boron diffusion at thin-film deposition equipment, nang hindi nangangailangan ng backside opening at alignment, na nagpapasimple sa proseso ng produksyon.

Proseso ng Produksyon

Pangunahing kasama sa proseso ng paggawa ng mga cell ng TOPCon ang mga sumusunod na hakbang:

1. Paghahanda ng Silicon Wafer: Una, ang mga N-type na silicon na wafer ay ginagamit bilang batayang materyal para sa cell. Ang mga N-type na wafer ay may mas mataas na minority carrier lifetime at mas mahinang light response.

2. Oxide Layer Deposition: Isang super-thin oxide silicon layer ay idineposito sa likod ng silicon wafer. Ang kapal ng oxide silicon layer na ito ay karaniwang nasa pagitan ng 1-2nm at ang susi sa pagkamit ng passivation contact.

3. Doped Polycrystalline Silicon Deposition: Isang doped polycrystalline silicon layer ay idineposito sa oxide layer. Ang polycrystalline silicon layer na ito ay maaaring makamit sa pamamagitan ng low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) o plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) na teknolohiya.

4. Paggamot ng Annealing: Ang mataas na temperatura na annealing treatment ay ginagamit upang baguhin ang crystallinity ng polycrystalline silicon layer, at sa gayo'y pinapagana ang performance ng passivation. Ang hakbang na ito ay mahalaga para sa pagkamit ng mababang recombination ng interface at mataas na kahusayan ng cell.

5. Metalisasyon: Ang mga metal grid lines at contact point ay nabuo sa harap at likod ng cell upang mangolekta ng mga carrier na nabuo ng larawan. Ang proseso ng metallization ng mga cell ng TOPCon ay nangangailangan ng espesyal na atensyon upang maiwasan ang pagkasira ng istraktura ng contact ng passivation.

6. Pagsubok at Pag-uuri: Matapos makumpleto ang paggawa ng cell, ang mga pagsusuri sa pagganap ng kuryente ay isinasagawa upang matiyak na ang mga cell ay nakakatugon sa mga paunang natukoy na pamantayan ng pagganap. Ang mga cell ay pagkatapos ay pinagsunod-sunod ayon sa mga parameter ng pagganap upang matugunan ang mga pangangailangan ng iba't ibang mga merkado.

7. Pagpupulong ng Module: Ang mga cell ay binuo sa mga module, karaniwang naka-encapsulated ng mga materyales tulad ng salamin, EVA (ethylene-vinyl acetate copolymer), at backsheet upang protektahan ang mga cell at magbigay ng suporta sa istruktura.

Mga Kalamangan at Hamon

Ang mga bentahe ng teknolohiya ng TOPCon ay nakasalalay sa mataas na kahusayan nito, mababang LID, at mahusay na koepisyent ng temperatura, na lahat ay ginagawang mas mahusay ang mga module ng TOPCon at may mas mahabang buhay sa aktwal na mga aplikasyon. Gayunpaman, nahaharap din ang teknolohiya ng TOPCon sa mga hamon sa gastos, lalo na sa mga tuntunin ng paunang pamumuhunan ng kagamitan at mga gastos sa produksyon. Sa patuloy na pagsulong sa teknolohiya at pagbabawas ng gastos, inaasahang unti-unting bababa ang halaga ng mga cell ng TOPCon, na magpapahusay sa kanilang pagiging mapagkumpitensya sa photovoltaic market.

Sa buod, ang teknolohiya ng TOPCon ay isang mahalagang direksyon para sa pag-unlad ng industriya ng photovoltaic. Pinapabuti nito ang kahusayan ng conversion ng mga solar cell sa pamamagitan ng teknolohikal na pagbabago habang pinapanatili ang pagiging tugma sa mga kasalukuyang linya ng produksyon, na nagbibigay ng malakas na teknikal na suporta para sa napapanatiling pag-unlad ng industriya ng photovoltaic. Sa patuloy na pag-unlad ng teknolohiya at pagbabawas ng gastos, ang TOPCon photovoltaic modules ay inaasahang mangibabaw sa photovoltaic market sa hinaharap.